（來(lái)源：上觀新聞）

HBM采用硅通????孔（TSV）技????術(shù)垂直堆?????疊芯片；??????然而，這僅僅是????一種連接??多個(gè)芯片的????2.5D???????或3D封裝技術(shù)，??并非真正意義上???的單片???♀?????3D集成??技術(shù)，無(wú)法從根??本上提升????芯片內(nèi)部的密度??????????。我們與AI??原生公司合作??了很長(zhǎng)時(shí)間，去??????年這一年更是突飛????猛進(jìn)，我??會(huì)向你們??解釋為什么會(huì)這????樣??。

開(kāi)發(fā)者?????????在互聯(lián)網(wǎng)規(guī)模的視????頻和人???類演示??上預(yù)訓(xùn)練世界基???礎(chǔ)模型???，并評(píng)??????估模型性能，為????訓(xùn)練后??做準(zhǔn)備??。在此次GTC?? 2026上，臺(tái)??積電被供應(yīng)鏈明確???♀?點(diǎn)名為“受惠第????一排”????。數(shù)據(jù)中???????心也不只是????一堆芯片，????而是生??????產(chǎn)Token的??????“AI工??????廠”，算力會(huì)????像電力一樣成???為持續(xù)?????消耗的?????????基礎(chǔ)資??源??。

這種轉(zhuǎn)變???就像是從考察????"記憶力"轉(zhuǎn)向考??察"學(xué)習(xí)能????力"????。隨著我們?cè)????全球范圍內(nèi)持續(xù)??擴(kuò)展AI，??我們提供的一????項(xiàng)能力是機(jī)密??計(jì)算??。下一個(gè)???????計(jì)算平臺(tái)已???♂?經(jīng)到來(lái)，那就????是為AI時(shí)代???加速計(jì)算?????。此外，在硅（????Si）????和硅鍺（Si?????Ge）??????等不同材?料交替??堆疊數(shù)十????層到數(shù)百層的結(jié)??構(gòu)中，由于??兩種材料之間????晶格常??????數(shù)的微小差異（????晶格失配） ，會(huì)??積累內(nèi)部應(yīng)????力??。