（來(lái)源：上觀新聞）

此外，為???了克服單片結(jié)構(gòu)的?????散熱預(yù)算????限制，保護(hù)底層邏???♂???輯電路的???????????????W2W混合鍵合???精度、無(wú)??需高溫工藝即????可實(shí)現(xiàn)高性秘??能的氧化物半導(dǎo)體??溝道（例??????如IGZO??）以及新型????金屬（Mo、??Ru）間隙填充技??術(shù)已成??????為關(guān)鍵的競(jìng)?????爭(zhēng)因素????。

對(duì)于那??些有興趣深入?????了解這??????一研究細(xì)節(jié)的讀者??????，可以通過(guò)??????論文編號(hào)a?rXiv:2??603.???♂?03756v1查????找完整的???研究報(bào)告????。還有一大堆其????他的，它們服務(wù)于????不同的????垂直領(lǐng)????域??????。