（來源：上觀新聞）

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正因如此????????，基于????IGZO和InG??aO的氧????化物半導??體材料，由于其可??在低于55??0°C的低溫工??祝藝中沉積且具有優(yōu)????異的耐熱????性，正作為下一????代3D DR????AM的溝道材????料而備受????關(guān)注??。這是極低延遲?????♂?的好處????。此外，在堆????疊式訪問晶體管??中，必須同時控??制復雜???的可靠性問題???，例如浮體效??????應(yīng)（FBE）引??起的電荷損失、????表面粗??糙度導????致的遷移率????下降、關(guān)態(tài)漏電??、字線??間的靜????電耦合以????????????????及寄生BJT????激活等??。