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我要感謝你們??。“這事兒不就很神??????????♀?奇嗎!”他覺???得自己前所??????未有地站在????了時(shí)代的前面????。這不僅解??決了理論????上的可行性問題??????,還帶來(lái)了??實(shí)際應(yīng)用中的???性能優(yōu)勢(shì)?????。最近對(duì)各種排列??方法(例??如垂直??位線(VBL)???????和水平位線(H????BL))4??的比較研究表明??,3D 1T1???C DRAM的????實(shí)際競(jìng)爭(zhēng)??????力取決????于存儲(chǔ)電容的最??小所需??????????容量、位線??寄生電容、位???????線之間的耦合噪聲????以及堆疊數(shù)量????。