（來源：上觀新聞）

此舉旨在通過??繞過4F2架??構(gòu)的物理??????復(fù)雜性（??例如垂直通道形成?和浮空??????效應(yīng)控制），直接??????將從3D NAN???D閃存生?產(chǎn)中積????累的高堆疊技術(shù)應(yīng)???用于2??T0C或3T0??C等3D DR????AM架構(gòu)??，從而加快??產(chǎn)品上市速度???。這很重要??。這一決???♀?策的背后是美光公????司預(yù)先建立的強(qiáng)大??專利壁壘????。

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