（來源：上觀新聞）

4.高溫工藝限制??及對底層邏輯電??????路的損害 3D ??DRAM????正朝著單元下層（???PUC）或???類似結(jié)構(gòu)發(fā)????展，將外圍電路????置于存儲單元??陣列下方，以??????最大限度地提高秘空間利???用率????????。英偉達??????庫的下????載量正在??以難以?置信的速??度增長??。

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向量數(shù)據(jù)庫????、非結(jié)????構(gòu)化數(shù)據(jù)、P???♀???DF、視頻??、語音，??世界上所有??的信息，每年產(chǎn)?生的大約????90%是??非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)1??????。