（來源：上觀新聞）

特別是，根據(jù)I??EEE T????ED的一項比????較研究，即使在基????于VBL的??3D ??????DRAM中，??要在保持足????夠信號裕度的????同時實現(xiàn)超過12???????nm級2D D??RAM的密度，??也可能需要???大約50個堆疊；????這表明，雖然 3??D 堆疊保持電容??器代表了????最連續(xù)的發(fā)??展路徑，但????這絕不是????一個工藝難度低的????解決方案??。這就是艱苦的工???♀???作???????????????。

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