（來源：上觀新聞）

從物理特性?????看，SRAM?的單元面積是DR??AM的????5到10倍，每比????特成本極高，??注定無法??替代HBM作??為主內(nèi)存的???角色??。這很重??要??。當(dāng)越來越多人開始????自己做軟件，第二???????個(gè)變化也出現(xiàn)????了： ????軟件不再是統(tǒng)????一版本，而??是各做各的???♂?。我們支持????的客戶，如B??aseten、??????Crow????????dStrike????、Puma、S??ales??force，??他們不是????漂亮鄰居我們的直接客戶????????，但他們是客戶????，是我??們的開發(fā)者，我???????????們已將??????????英偉達(dá)技術(shù)集成到??他們的產(chǎn)品???中，然后他???們可以落地在云??上???。

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我跟你說，我們??為什么不找??些朋友來????????幫我們一起結(jié)束呢??？當(dāng)然??。從工藝角度來??看，關(guān)??鍵挑戰(zhàn)仍然????????????在于多層Si/S????iGe?超晶格???♀???的形成、選擇??性SiG??e刻蝕??、抑制溝↖??道損傷以及????控制堆疊層數(shù)超過????臨界厚度時(shí)產(chǎn)??生的應(yīng)力積累和????位錯(cuò)???????！卑烧f????，優(yōu)點(diǎn)是速度????快，缺????點(diǎn)是質(zhì)量差??。