（來源：上觀新聞）

3.美光：跳過?過渡階??????段 4F2 直?????接邁向 3D ??????單片集成的“高??風險”策略???? 美國美光????科技公司?是全球????第三大??芯片制造商?????（預計到20250??abc.com年第一季度市場份???額將達到25???????♂?%），為了????扭轉市場局面，??????該公司選擇了一??條與兩家???韓國競爭??對手截然不同的非??傳統(tǒng)技術路線????。

通過穩(wěn)定IGZ???♀???O的結晶過程，該?????????公司旨在實??現(xiàn)3D????堆疊式存儲器??所需的????超低功耗和長保????持特性??，以滿??足移動?設備和邊緣A??I環(huán)境的需求????。線寬小型化是???提高該???????♀?架構集成密度的??????唯一途徑，但目前??線寬小型化已進入??10nm波段??????（1a、1??????b、1c??、1d????節(jié)點），并暴????露出嚴??重的結構不穩(wěn)定??????性???。