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(來源:上觀新聞)
正因如此,基于I????GZO和InGa?O的氧化??物半導(dǎo)體材料,??由于其可在低?于55????0°C?????♂?的低溫工藝中沉????積且具有優(yōu)??異的耐熱性,??正作為下一代3D??????????? DRAM的????溝道材料而備受??關(guān)注????????。就在不久前,這家??????被稱為“短??劇出海第一??股”的????公司剛發(fā)布業(yè)???????績預(yù)警:預(yù)?計(jì)全年歸??母凈虧???????損5.8億??元至7億元,較??上年同期的2.4??3億元虧???損擴(kuò)大139??%至1???88%?。
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