（來源：上觀新聞）

以3nm制程為???♀?例，極紫外光刻??????機(jī)的雙工????件臺(tái)需??要在真空環(huán)境??下實(shí)現(xiàn)??????皮米級(jí)（pm）?????♂?對(duì)準(zhǔn)精度????，刻蝕機(jī)必須????在毫秒級(jí)時(shí)??間內(nèi)完成??反應(yīng)腔??室內(nèi)氣體壓力與射????頻功率的協(xié)同????調(diào)整，薄膜??????沉積設(shè)備則要在??原子層????????厚度（約0.1n????m）上實(shí)????現(xiàn)膜厚的均???????♂?勻性控???制??。

此外，控制??垂直字線??和位線之間的寄生??電容，以及抑制縱?????向帶間隧穿（??????BTB??T）引起的漏電流????，也是?確保大規(guī)模生產(chǎn)可??????行性的關(guān)鍵挑戰(zhàn)???。

這會(huì)破壞晶體管????的閾值電壓，???????從而導(dǎo)致????數(shù)據(jù)讀寫錯(cuò)??誤???♂??。訪談里提到一個(gè)???♂?數(shù)據(jù)： “80??%的用??戶，沒有任??何編程背景??。