（來源：上觀新聞）

現(xiàn)在，????令人驚嘆的是這????個(gè)??。Feyn?????♀?man當(dāng)然有????一個(gè)新??的GP??????U??????。兩人決定先回去商?量一下?。Vera Rub????♀?in，???你應(yīng)該盡快?得到它，原因是你??的token???♂?成本下降，????吞吐量上??????升???。我們創(chuàng)造了一??個(gè)全新??的CPU??。以Llama 3??.3 70????B模型為例，???♂?根據(jù)Art????ificial???????? Analysi??????s等獨(dú)立基準(zhǔn)測(cè)試??，Groq平臺(tái)????在不同上下文????長度下能維持20??0-300+???? toke????n/s的穩(wěn)????定推理速度，??顯著優(yōu)??于傳統(tǒng)GP??????????U推理平臺(tái)????。

我們那里的平????臺(tái)叫做Aer??????ial或AI???????? RAN?????。我們構(gòu)建??并發(fā)布了六個(gè)????系列的開放前??沿模型，????以及訓(xùn)練???數(shù)據(jù)、配??????方和框????架，以?????幫助開發(fā)者定制和??采用????。盧偉冰透??露，今年一????季度內(nèi)存???的報(bào)價(jià)大?????♂?約是去年一季??度價(jià)格的近4倍??????，“一??????個(gè)12GB+25????6GB??的內(nèi)存（??組合），在??價(jià)格低??點(diǎn)時(shí)，大概30多??美元，四倍的話意?味著它已經(jīng)???♀?到了120-1?30美元??。

3D DRA??M，新的希??????望 1.???基于 1T1C???♀? 的 VS-DR??????????????????AM 如??果VCT是????將現(xiàn)有的1T1C??單元重新配置????♀?成垂直通道結(jié)????構(gòu)的方法，那么??下一步就是VS-????DRAM（垂直堆????疊式DRAM??），它????在保留???存儲(chǔ)電容本身的同??時(shí)，將單元????陣列垂?直重復(fù)堆疊??。這就是工廠的重??要性????。