（來(lái)源：上觀新聞）

黃仁勛在現(xiàn)場(chǎng)宣布????，這款芯片將由三????星電子代工，??目前已進(jìn)入生產(chǎn)階???????段，預(yù)計(jì)今年下半????年開(kāi)始出貨??????。當(dāng)“英偉達(dá)將?????♂?推SRA????M推理6????芯片”的消息傳出??后，韓國(guó)股???市一度劇烈波??動(dòng)，市場(chǎng)擔(dān)憂S?RAM的使用會(huì)????減少對(duì)HBM的??????需求，進(jìn)而沖????擊三星和??????SK海力士的核心??業(yè)務(wù)??！彼J(rèn)為????????，未來(lái)的企業(yè)???競(jìng)爭(zhēng)，將不再???????是單純的技術(shù)??或人才競(jìng)爭(zhēng)，而??????是誰(shuí)能?以更低的成本、???更高的??效率生成T?????oken的競(jìng)爭(zhēng)?????????????。

這就是發(fā)生的事??情?。沒(méi)人會(huì)期????望提高35?????倍3??。理所當(dāng)??????然地，將會(huì)有一大?????♀?批全新的重要??公司，對(duì)未??來(lái)世界產(chǎn)??生重大??影響的????公司???。傳統(tǒng)二維????DRA???M的擴(kuò)展性限制 ??????1. ?????平面1T1????C架構(gòu)的物理和?????電氣缺陷??????及局限性???? 現(xiàn)代????DRA1????M技術(shù)的基礎(chǔ)在于4??1T1???♂??C單元結(jié)??構(gòu)，其中??單個(gè)晶體管??????控制單個(gè)電容器，????根據(jù)電荷的有????無(wú)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)??????。以Llam??????a 3.3 70????B模型為例，根據(jù)??Arti?ficial?? Ana?????lysi???s等獨(dú)立基準(zhǔn)測(cè)???♀???試，Groq平臺(tái)????在不同上下文??長(zhǎng)度下能??維持200-??????300+ t??????oken/?s的穩(wěn)定推理速度??????，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)????GPU推理平臺(tái)?????♀?。