（來(lái)源：上觀新聞）

我們是垂直整合??，水平??開放?????。Google??? Clou????????d，如你們?所知，我們已經(jīng)與????????????Goog????le Clou??d合作了很長(zhǎng)時(shí)間?。這一決策????的背后是美光??公司預(yù)先????建立的強(qiáng)大專利??壁壘???。非常興????漂亮鄰居奮地看到????它在整個(gè)網(wǎng)絡(luò)中????的采用，在這個(gè)復(fù)??雜的世界數(shù)??????據(jù)處理系??????統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)中??。

大多數(shù)人會(huì)????認(rèn)為我們是他們????的第一個(gè)供??應(yīng)商????。與3D N??AND????閃存類似??，這種架構(gòu)垂????直堆疊??存儲(chǔ)單元，旨??在通過(guò)第三個(gè)軸來(lái)??補(bǔ)充位密??????度——位密度已??無(wú)法僅????通過(guò)平面縮小來(lái)實(shí)??????現(xiàn)??。真正的產(chǎn)業(yè)競(jìng)????爭(zhēng)力，從??來(lái)不在逐風(fēng)口的敏??捷，而在育???????創(chuàng)新的定力??。此外，為???了克服單片????結(jié)構(gòu)的散熱預(yù)算限??制，保??????護(hù)底層邏輯電????路的W??2W混??合鍵合精??????度、無(wú)需????高溫工藝即可??????實(shí)現(xiàn)高性能????的氧化物半導(dǎo)體溝????道（例如IGZ??O）以及?新型金屬（Mo、????????Ru）間隙填充技????術(shù)已成為關(guān)鍵????的競(jìng)爭(zhēng)因素??。