（來源：上觀新聞）

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此外，隨著結(jié)????構(gòu)精細(xì)?化程度??的提高，字??線和位線區(qū)域的??布線電阻和RC延????遲問題也日益加劇??，這使得間隙填充??技術(shù)對(duì)于可靠地填??????????充空隙變得尤????為重要????。然而，基于電容????的3D DRAM????由于需????要容納存儲(chǔ)器????件，因???此存在結(jié)構(gòu)上的負(fù)???♂?擔(dān)?????♂?。然而，??在這種情況下，會(huì)??出現(xiàn)一個(gè)問??題：用于形???♂?成上層存儲(chǔ)??單元的高溫工藝????可能會(huì)??對(duì)已形成的下層??????邏輯晶體管和???金屬布線造成熱損???傷，或?qū)????致電氣特性發(fā)????生變化????。募集資金將??主要用????于高端產(chǎn)品研發(fā)升???級(jí)及全?????球化市場(chǎng)布??局??。