（來源：上觀新聞）

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在2025年超大?????♀?規(guī)模集成電????路（V????LSI）研?討會的主題演講??中，S??5??K海力士指出??????，4F2垂???♂?????直柵極（VG）技???♂?????術(shù)將成為未來30??年引領(lǐng)DR??AM發(fā)??????????展的全新??????技術(shù)平臺????。

三星電??子在ISSC??????C 20?????26會議論文中提????出的單元-外圍????（CO??P）架構(gòu)????也采用了這??種W2W混合???鍵合技術(shù)，實(shí)??abc.com現(xiàn)了在小??面積內(nèi)以????超高密度集成4F??????2 V???CT??。