（來(lái)源：上觀新聞）

相關(guān)綜述??和器件??研究指出，3D???? 1T1C結(jié)??構(gòu)仍然需要橫向???♀?布置的電容，??這些電容????會(huì)占用額外的??????面積，???從而限制了整體集??成密度的??提升????。關(guān)鍵工藝????和挑戰(zhàn)：鍵合技術(shù)???♂???漂亮鄰居和HARC蝕?????刻 要使3D?????? DRA??M架構(gòu)超越理論???????????模型，進(jìn)?入量產(chǎn)階段，???♀???必須同時(shí)掌握????先進(jìn)的封裝技術(shù)??????和超精????細(xì)、高難????度的單元工藝?????????。

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