（來(lái)源：上觀新聞）

AI的覆蓋范圍??就是它的韌???性??。業(yè)界的????技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)通常??是先Sc????ale out，??然后再Scal????e up??????????。現(xiàn)在我們讓AI??????來(lái)做這件事?????。我們構(gòu)建并??發(fā)布了六個(gè)系??列的開(kāi)放前沿模????型，以及訓(xùn)??練數(shù)據(jù)、配方??????和框架，以幫????小姨子愛(ài)上我助開(kāi)發(fā)者定制和采???♂?用???????♂?。你知道??????，只有在??英偉達(dá)的主題演講????中，你才會(huì)看到???去年的幻燈片再次????出現(xiàn)??。

以3nm??制程為例，極紫??外光刻機(jī)???????的雙工件臺(tái)需要在??真空環(huán)境下實(shí)現(xiàn)皮↘米級(jí)（p?m）對(duì)準(zhǔn)精度，刻??蝕機(jī)必須在毫秒級(jí)????小姨子愛(ài)上我時(shí)間內(nèi)完成????反應(yīng)腔??室內(nèi)氣???♂???體壓力與射頻????功率的??協(xié)同調(diào)整????，薄膜沉積設(shè)備???♂?則要在原子層??厚度（約0??????.1nm）上????實(shí)現(xiàn)膜厚的均???勻性控??制??????。3D DRAM??，新的希????望 1??.基于?? 1T1C ??的 VS-DR????AM 如????果VCT是??將現(xiàn)有的1T??1C單??元重新配????置成垂直通????道結(jié)構(gòu)的方????法，那么下一步就??是VS-D???RAM（垂直堆疊????式DRAM）?，它在保留存儲(chǔ)???♀?電容本身的同時(shí)，??將單元陣列垂直???♀???重復(fù)堆疊??。